Беспроводная зарядка

Введение в технологию беспроводной зарядки

Технология беспроводной зарядки добилась большого успеха в сфере смартфонов благодаря своей простоте и эффективности.   С расширением рынка она становится всё более популярным элементом повседневной жизни.   Можно предсказать, что дальнейшее развитие этой технологии приведёт к её широкому применению в таких устройствах, как ноутбуки и ручные электроинструменты, инициируя новую волну развития беспроводных решений.

Благодаря технологии двойного сердечника (dual-core sealing) площадь конструкции беспроводного зарядного устройства была значительно уменьшена, что позволило достичь высокой плотности мощности и улучшенной способности к быстрой зарядке.   Продукт обеспечивает максимальную энергоэффективность при оптимальном энергопотреблении, улучшая характеристики переключения и проводимости полупроводниковых устройств.   Оптимизация конструкции источников питания и технологических процессов позволяет снизить общие затраты при повышении производительности.

Почему Baoquan Zhijie

• Что мы предлагаем: Только полупроводниковые компоненты — MOSFET, SiC MOSFET, IGBT-модули и силовые модули (мы не поставляем готовые зарядные системы).

• Преимущества устройств: низкое сопротивление R_DS(on), малый заряд затвора Qg, высокая скорость переключения и отличная термическая стабильность для резонансных и индукционных схем.

• Варианты корпусов: DFN / DPAK, TO-220 / TO-247 и компактные силовые модули, оптимизированные для конструкций беспроводной зарядки.

• Рекомендуется для данного применения: низковольтные MOSFET — для приёмных каскадов, высокоэффективные MOSFET и SiC-устройства — для передающих цепей.