Поиск продуктов

SiC - MOSFET применяются в средне - и высоковольтных энергетических системах и обеспечивают более высокие частоты переключения с повышенной эффективностью, при этом уменьшая размеры системы и необходимость в избыточности. 

Наши SiC - MOSFET предлагают неравнобедренную прочность и производительность, а также широкий спектр решений с более низкой системной стоимостью, более быстрым выходом на рынок и меньшими рисками. Наши решения характеризуются временем жизни оксида более 100 лет и стабильным встроенным диодом, а также превосходной прочной работой при аваланше, способностью к работе при коротком замыкании и устойчивостью к нейтронам, что повышает надежность системы и время бесперебойной работы.

Характеристики

Работа при высокой температуре (Tj = 175°C) с низким изменением RDS(on) на всем диапазоне температур

Лидерство в отрасли по стабильности гатного оксида (< 100 мВ сдвиг Vth) и времени жизни гатного оксида

Прочная работа при аваланше (UIS) (> 100 тыс. импульсов)

Долгое время устойчивости к короткому замыканию

Преимущества

Более высокая частота переключения и эффективность

Более высокая плотность мощности

Повышенная прочность

Более компактные и легкие системы без необходимости в избыточности SiC - устройств

Улучшенные требования к охлаждению, что снижает стоимость системы

Наше преимущество

Несколько источников эпитаксии и две SiC - фабрики обеспечивают долгосрочную поставку

Незамещаемая оценка аваланшной прочности UIS

Самое длинное время устойчивости гатного оксида

Практика решения проблемы утилизации, ориентированная на потребителя